Полупроводники

Ток утечки
Для маломощных германиевых диодов ток утечки (или обратный ток) находится в пределах от 1 до 200 мкА. У кремниевых диодов ток утечки значительно меньше. Но в обоих случаях ток утечки сильно зависит от температуры. Эта зависимость показана на рис. 1-3, где приведены графики температурного изменения обратного тока коллекторно-базового перехода германиевого и кремниевого транзисторов при разомкнутой цепи эмиттера.

Основные причины возникновения тока утечки следующие: а) Образование неосновных носителей при нагревании, воз действии радиации и нарушениях структуры кристаллической решетки. В этих случаях образуются электронно-дырочные пары и носители заряда, которые являются неосновными, свободно проходят через р-п переход, смещенный в обратном направлении для основных носителей. Образование электронно-дырочных пар при нагревании является наиболее существенной причиной возрастания тока утечки. В общем случае возрастание обратного тока составляет примерно 10% на 1°С (ток увеличивается приблизительно в 2 раза при нагревании на 8°С). По этой причине применение германиевых полупроводниковых приборов ограничивается диапазоном температур не выше 70°С. Кремниевые приборы могут применяться вплоть до 150°С. б) Поверхностные токи утечки являются существенным фактором только для кремниевых приборов, которых тепловой ток утечки весьма незначителен. Поверхностный ток утечки часто обусловлен загрязнением поверхности и в конечном итоге снижает обратное сопротивление перехода.

шаг назад